比亞迪沒把技術講到大眾明白的水平。
網上聊技術，想要傳播，大多是賽博鬥地主。
「管上」
「大你」
「壓死」
想想，各家手機釋出會是不是這樣的。
這邊8800，那邊就9100
這邊20000，那邊就22000
就講究一個鬥地主。
簡單，直接。
名詞沒用。
各家早就開始發明名詞了，新概念層出不窮。
一個玻璃，超磁晶、奈米晶、微晶，然後又變成了龍晶、鎧甲、昆侖。
畢竟絕大部份人的註意力超不過15秒，沒有簡單粗暴的比較，就難以形成粉絲自行傳播。
所以比亞迪技術方面很難傳播，但798、998這種梗傳起來比誰都快。
當然，比亞迪對自家技術沒講透也是挺。。遺憾的
上次我去比亞迪釋出會，能講一小時的PPT比亞迪三分鐘就劃過去了
這頁PPT展開了能講很多東西出來。
即，比亞迪打通了從碳化矽芯片材料、工藝、設計、制造、封裝、測試、模組這一整條鏈路。
SiC當然好，高耐壓、高耐熱、高開關頻率，搬運電力的能力和效率都比矽基IGBT更好。
但目前SiC面臨的問題還不少，相較於目前更成熟的IGBT來說，SiC的材料的一致性水平就要更差，即使是海外的Wolfspeed（Cree）的襯底，也不夠完美。
也因此，從SiC MOSFET單管到模組再到上車套用，各家還沒有把器件特性發揮得更好。
比亞迪走的是全鏈路最佳化這條路子。
我隨便列列就有下面一大把問題可以講，隨便哪個都是硬核技術。
SiC襯底是誰家的，不同家的差異在哪？有什麽問題？怎麽定向最佳化的？——這也就是耐壓那塊兩三個小點的東西。
SiC代工是誰家的，用的平面還是溝槽？哪些環節能redo？哪些環節又不能redo？芯片怎麽做的仿真？仿真做了多少項測試？
代工做出來做了多少項測試？從哪些批次做的抽取？抽取出來怎麽做的測試？開關特性是什麽確定和模擬的？
這麽多內容，拎出來一個小點，表示怎麽把SiC鏈路打通的，再加幾個tag，讓KOL幫忙傳播。
這種科技感就上去了。
SiC可能很多人不知道，但換個名詞，第三代半導體，很多人就覺得牛逼了。
矽是第一代半導體。
很多人就是覺得3>1，第三代半導體就是牛逼。
比亞迪打通了第三代半導體鏈路，比亞迪牛逼。
換隔壁小米得給你普及一遍AEC-Q100的標準，再說標準裏面做了哪些針對性提升和創新。
我正奔著互聯網思想，想多學點SiC知識的時候
比亞迪三五分鐘給滑過去了。。。。
滑過去了。。。
過去了。。
去了。
了
當然，不怪他們。
比亞迪要是真的行銷能力上去了？
各家又會
