個人看法：短期不會，未來則有可能
HBM的名字是High Bandwidth Memory，顧名思義，就是高頻寬記憶體。HBM的頻寬有多高呢？以標準HBM2來說，單顆粒可以提供256 GB/s的頻寬，作為對比，16 Gbps的GDDR6單顆粒頻寬是64 GB/s，只有HBM2的1/4；DDR4 3200是最少8顆顆粒提供25.6 GB/s頻寬，只有HBM2的1/10。
就現在來說，HBM的核心原理和普通的DDR、GDDR是完全一樣的：每一位數據都透過一個晶體管和一個電容組成的Cell來存放，電容儲存電量來表示0和1，透過晶體管與周邊電路聯通實作讀、寫、重新整理操作。既然原理一樣，HBM要實作高頻寬，就必須在其它方面付出代價： 使用多根數據線。
HBM/HBM2都使用了1024根數據線傳輸數據，作為對比，GDDR是32根，DDR是64根。這麽多數據線，已經無法用傳統的PCB布線實作，因此HBM都需要使用額外的矽聯通層，透過晶片堆疊技術與處理器（CPU、GPU或者其它類別的處理器）連線。使用矽聯通層會帶來兩個缺點： 高成本，容量不可擴。 不過使用矽聯通層的會有一個優點，就是 傳輸數據的功耗可以大幅降低。
這麽多的連線線，要保持高傳輸頻率一方面會帶來高功耗，另一方面也沒有必要。因此HBM的數據傳輸頻率相對很低，HBM2也只有2 Gbps，作為對比，GDDR6是16 Gbps，DDR4 3200是3.2 Gbps。此外，從多個Bank中讀取並組織1024bit數據進行傳輸也需要耗費相當時間。雖然HBM的1024bit是分成8個128bit通道，HBM2的偽通道模式更是每個通道再進一步細分為兩個偽通道，每個64bit，但組織64/128bit的數據排隊，還是遠比GDDR的32bit，DDR的8bit要慢不少。排隊慢傳輸也慢，因此， HBM還有另一個缺點：延遲高。
小結一下，HBM的優點：頻寬高，傳輸功耗低；缺點：成本高，延遲高，容量不可擴。
現在以及短期可見的套用來說，很少有非常大的計算量，對於頻寬的需求並不高，對效能影響更大的是延遲。而且PC使用者的需求各種各樣，使用習慣，購買預算都會有很大差異，特定一兩種記憶體容量的規格難以滿足全體使用者，所以HBM在可預見的短期內，都不可能成為主流選擇。
就目前來說，記憶體廠家提出的低成本HBM，以及Intel的EMIB技術，可以一定程度上降低HBM的成本。
低成本HBM，首先傳輸速度從2 Gbps提高到3 Gbps。降低介面位寬，從1024bit降低到512bit；同時堆疊層數也可以減半；另一方面，取消掉緩沖芯片、ECC糾錯所需的冗余容量。
Intel的EMIB(Embedded Multi-die Interconnect Bridge，嵌入式多晶片互聯橋接)技術，則可以用很小面積的橋接矽片代替大面積的矽互聯層。但需要處理器、HBM顆粒把用於互聯的觸點分布在顆粒邊緣。
未來隨著互聯網接入頻寬的提升，智能電話的普及，以及人工智能的流行，可以合理猜測未來的數據量和計算量是會不斷提升的，當數據量、計算量達到現有的DDR/GDDR頻寬瓶頸後，HBM很可能會是唯一解決方案。
HBM容量不可延伸的問題，如果傲騰記憶體得以普及，應該也不是問題。畢竟現在很多時候我們需要大容量記憶體，往往只是因為硬碟太慢，且不支持隨機存取，很多後台套用、服務占用了大部份記憶體容量，這些數據完全可以放在傲騰記憶體中而且對效能沒有影響，甚至傲騰的無需定時重新整理特性還可以大幅降低功耗。HBM相當於傲騰的緩存，活躍數據才放在HBM上就可以了。
HBM延遲高的缺點，則只能透過加大處理器的內部緩存來解決了。現在CPU方面，AMD 64核的的EPYC 7742/執行緒撕裂者3990X末級緩存都高達256 MiB，GPU也有128 MiB緩存的6800了，可以一定程度上降低HBM高延遲帶來的影響。
