謝邀，問對人了。
答案是肯定的，可以用來做光刻，而且歷史還挺悠久的，甚至現在還有在用的。
手機答題，全憑記憶，有時間和地點偏差的見諒。
X射線因為波長很短，所以幾乎沒有繞射效應，所以很早就進入了光刻技術研發的視野內，並且在八十年代就有了X射線光刻。九十年代，IBM在美國佛蒙特州建了一條采用同步輻射光源的X射線光刻機為主力的高頻IC生產線，美國軍方為主要客戶。而當年X射線光刻技術，是當時的下一代光刻技術的強有力競爭者。後來隨著準分子激光和GaF透鏡技術的成熟，深紫外光刻技術延續了下去，在分辨率和經濟性上都打敗了X射線光刻。X射線光刻就結束了主流光刻技術的競爭。
現在用X射線光刻的，主要是LIGA技術，用來制造高深寬比結構的一種技術，可以制造出100:1的深寬比，套用於mems技術當中。
目前國內有兩個地方可以做X射線光刻，一個是合肥同步輻射，一個是北京同步輻射。
由於X射線準直性非常好，傳統的X射線光刻，是1:1復制的。掩模版使用的是矽梁支撐的低應力氮化矽薄膜，上面有一層圖形化的金，作為掩蔽層。曝光方式采用掃描的方式，效率不高。
目前最先進的光學光刻是EUV，極紫外光刻。我們也稱之為軟X射線光刻，既有光學光刻的特征，也有X射線光刻的特征。極紫外波長很短，沒有透鏡能夠放大縮小，所以只能采用凹面鏡進行反射式縮放。而掩模版也采用反射式，曝光方式也是掃描，整個系統在真空下執行。
