【文/觀察者網 阮佳琪】
7月23日，港媒【南華早報】關註到，中國半導體行業協會理事長陳南翔近日受訪時，談到中國半導體行業發展的相關問題。他認為，中國芯片工業尚未實作爆炸式增長，但這一天終將到來。
他預測稱，在摩爾定律不再奏效的同時，中國將受益於新的封裝技術。憑借在套用和封裝技術
方面的優勢，中國的芯片產業將在3至5年內實作「爆炸式增長」，為中國克服美國的技術限制指開辟道路。
陳南翔對話CGTN。影片截圖
據【南華早報】報道，陳南翔同時是中國最大快閃記憶體芯片制造商長江儲存的董事長、代理CEO，當天他主要以中國半導體行業協會理事長的身份接受存取。
談到對中國半導體行業成長的看法時，他分析稱，現在半導體行業火熱，一方面是因為中國產業確實做得好，另一方面又趕上AI發展的大好時期，再加上半導體產業站在了地緣政治博弈的科技最前沿。
「的確，如果我回到40年前，我從來沒想到中國半導體產業有今天。但是在過去的20年，我們已經能夠清楚地看到，實際上中國一定會有今天這樣的發展。而且眼下的還不是最好的，最好的正在來的路上。」
陳南翔進一步解釋道，中國的半導體產業發展就像孕育一個新技術一樣，起先會是一個很長的潛伏期，慢慢地開始對市場進行嘗試，最後爆發式發展。「我們現在還沒進入到中國半導體產業的爆發增長期，但相信再有三到五年的時間，我們會看到這一天。」
據陳南翔介紹，在發展芯片產業上，中國正在探索一種新的市場驅動型產業模式，摒棄過去依賴高校和科研院所的舊模式。
他回憶道，過去在發展集成電路的過程中，中國走了很長一段時間的「彎路」。本質上，中國想要發展的是一種芯片產業，但過去這件事交給大學、研究院和科學院，最終獲得的是一種更具學術性的成果。
陳南翔強調，這是兩種完全不同的路徑，中國現在需要的是一種產業，需要創新的產業、服務和商業模式，最終轉變為經濟的商業價值。「我認為，在花了很長一段時間的摸索之後，無論是從政策的主導者，還是產業利益的相關方，終於明白了。」
「不能說我們已經找到了產業發展的最佳模式，但起碼，我們已經知道了什麽樣的模式是註定要失敗的。在長時間試錯後，現在我們可以相信，在未來集成電路產業的發展中，一定正孕育著一個巨大的成功模式。」陳南翔補充道，「大家拭目以待。」
當談及中國芯片產業能否追趕上西方時，陳南翔提到，和過去業內依賴於「摩爾定律」不同，封裝技術正受到越來越多的重視，「可以預測，在未來非常近的一天，封裝技術的重要性恐怕都要超過晶圓制造技術的重要性。」
在陳南翔看來，對於中國而言，這種技術態勢的轉變是一種「巨大利好」。他認為，雖然美國正試圖剝奪中國獲得先進芯片和代工技術的機會，但封裝技術會是中國實作「彎道超車」的機會。
他舉例稱，三星正在做的3納米芯片，和英特爾要做的3納米芯片是不一樣的，它們有著各自的定義。但過去摩爾定律還有效、業記憶體在共識時，大家都知道3年後或6年後的技術節點會是什麽。
「突然有一天，這個叫摩爾定律的賽道突然沒了。既然技術路徑依賴沒有了，那我們來走另外一種新的發展模式——套用驅動。我們中國的市場和消費者會在套用上有許多創新，我們中國的機會恰恰在這裏頭」，陳南翔說。
中國芯片產業發展正面臨全國人民的期待。陳南翔也坦言，對業界的關心增加了半導體行業的曝光度，增加了行業對人才的吸重力，同時一些極個別網民言論也給行業產生了很大的壓力。
他希望，公眾能夠理性、耐心地看待國內半導體行業發展，「我們希望，這個產業不是跑100米短跑，而是像一個馬拉松，走長期主義才能把這個產業真正做好。（希望大家）給予一定時間，讓產業認認真真地把自己的基礎做好，把自己的實力構造出來，這才是真正中國半導體產業所需要的。」
【南華早報】指出，美國對中國頂尖科技公司和半導體代工廠的一系列無理制裁，正促使中國業界人士建立更緊密的聯系，在政府支持下，團結一致尋求前進的道路。在去年10月當選為中國半導體行業協會理事長後，陳南翔呼籲業界同舟共濟，攜手應對來自美國的科技制裁。
同年，在上海舉行的SEMICON China 2023大會上，陳南翔當時以長江儲存董事長的身份發表演講稱，一些國家出於地緣政治考量，已經破壞了芯片半導體產業鏈的全球化體系，現在行業面臨巨大的不確定性，「再全球化」正在發生。
他直言，芯片產業鏈將進入「動蕩且無序」的時刻。不僅沖擊現有的全球供應鏈產業分工，甚至給產業發展模式帶來重大影響。
陳南翔當時還提議，如果中國企業依法合規買到的器材不能交貨或者無法使用，廠家應該設定一個時間回購器材，「我想做個呼籲，去建設你們的誠信，體現於你們的公平原則。就長江儲存來講，依法合規買回來的器材連零件也拿不到。如果是公平的話，應該會設一個時間，把器材在新的條件下回購，這樣才公平。」
值得一提的是，近日有美媒爆料稱，長江儲存再度在美國加州北區對美光提起訴訟，指控這家美國公司侵犯了其11項專利，涉及3D NAND的各個方面。長江儲存請求法院下令，要求美光停止在美國銷售其快閃記憶體，並向其支付專利使用費。
長江儲存表示，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND記憶體以及美光的部份DDR5 SDRAM產品（Y2BM系列）侵犯了其在美國送出的11項專利或專利申請，它們涵蓋了3D NAND和DRAM功能的基本方面。
2022年底，美國商務部根據所謂的「證據」，以威脅其國家安全為由，將長江儲存列入了實體清單，使其不能從美國獲得128層及以上的3D NAND的晶圓制造器材和技術。
這次起訴，並非長江儲存在美國的第一次「反擊」。2023年11月，長江儲存在美國加州北區地方法院，對美光及子公司美光消費類產品事業部提起訴訟，指控美光侵犯8項與3D NAND Flash相關的美國專利。
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