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芯片行業再迎利好訊息！
全球儲存芯片巨頭三星電子7月31日披露的數據顯示，該公司第二季度實作營業利潤10.44萬億韓元，約合人民幣547億元，同比暴增1462%，超出市場預期。
三星電子表示，得益於人工智能的蓬勃發展，公司第二季度高效能高頻寬記憶體（HBM）的銷售額環比增長50%以上。公司計劃在下半年進一步擴大產能，並推廣其最新的AI記憶體產品HBM3E，以滿足AI領域的不斷增長的需求。公司還透露，目前正在開發第六代HBM4，並計劃在明年上半年開始生產。
此外，31日美股盤前，跟AI高度相關的半導體板塊集體上漲，AMD一度漲超10%，該公司二季度AI芯片銷售強勁，數據中心業務收入創新高，同時上調了AI芯片銷售指引。其他個股方面，阿斯麥漲8%，輝達漲近5%，台積電、博通和美光漲近4%，高通漲超3%。
三星業績暴增1462%
當地時間7月31日，三星電子公布了2010年以來最快的凈利潤增速，因為人工智能(AI)熱潮提振了其半導體部門的收益。
這家全球最大的儲存和智能電話制造商披露，按合並財務報表口徑計算，今年第二季度，公司銷售額為74萬億韓元，同比增長23.44%，超出此前市場預期的73.74萬億韓元；營業利潤達到10.44萬億韓元，同比猛增1462%，好於市場預期的9.53萬億韓元，這也是自2022年第三季度以來，三星電子的季度營業利潤首次超過10萬億韓元。公司第二季度凈利潤為9.84萬億韓元，同比增長471%。
受人工智能（AI）市場擴大推動儲存芯片需求的復蘇和芯片價格上升等利好因素影響，三星電子芯片部門業績大幅改善，帶動整體業績向好。
三星電子出色的業績表明，全球計算市場正在擺脫疫情後的長期低迷，部份原因是美國和中國在人工智能開發方面投入了大量資金。與SK海力士一樣，三星電子也提供用於伺服器和流動通訊器材儲存的半導體，並銷售大量消費電子產品。
具體來看，第二季度，三星電子負責半導體業務的數碼解決方案（DS）部門銷售額為28.56萬億韓元，營業利潤6.45萬億韓元，好於市場預期。今年第一季度該部門實作了1.91萬億韓元的營業利潤，時隔五個季度重新實作盈利，而在第二季度的營業利潤增幅進一步擴大。
三星電子器材體驗（DX）部門銷售額為42.07萬億韓元，營業利潤2.72萬億韓元。其中涵蓋智能電話的移動體驗（MX）業務銷售額環比減少，這主要是因為第二季度是智能電話銷售淡季。三星電子方面稱，由於智能電話市場的季節性趨勢持續，智能電話的整體市場需求連續下降，尤其是高端市場。雖然MX業務的收入連續下降，但Galaxy S24系列在第二季度和上半年的出貨量和收入都比上一代產品實作了兩位數的同比增長。
三星電子預計，隨著對具有人工智能功能的高端產品以及智能手錶等配件的需求不斷增長，2024年下半年智能電話的總體需求將比去年同期有所增長。
HBM芯片銷量大增
三星電子周三表示，在生成式AI熱潮的推動下，高頻寬記憶體（HBM）和DDR5（DRAM）等高附加值產品的需求增加。三星電子稱：「HBM、DDR5 等以伺服器為中心的產品銷售擴大，同時公司積極應對生成式AI伺服器用高附加值產品的需求，使得業績較上季度大幅改善。」
數據顯示，第二季度，三星電子高效能高頻寬記憶體（HBM）的銷售額環比增長了50%以上。三星電子副總裁金在俊（Kim Jae-joon）在財報電話會議上表示：「由於對生成式人工智能的強勁需求，第二季度記憶體市場繼續保持強勁。HBM的銷售額同比增長了50%以上。」公司的8層堆疊HBM3E芯片將在第三季度開始量產。有媒體評論稱，這表明，三星電子已經為這些芯片找到了一個客戶，據信是美國人工智能芯片巨頭輝達。
金在俊表示：「在上個季度準備批次生產8層堆疊HBM3E產品時，向主要客戶提供了樣品，目前正在順利進行測試。最新的12層堆疊HBM3E產品也將在下半年上市。」三星電子表示，目前正在開發第六代HBM4，並計劃在明年上半年開始生產。
三星電子預計，下半年代工業務的移動需求將出現反彈，人工智能和高效能計算套用的需求將持續高增長。
近日，有媒體報道稱，三星電子第四代高頻寬記憶體HBM3已獲得輝達批準，將用於輝達根據美國出口管制規定專門為中國市場開發的圖形處理單元（GPU）H20，這是三星該技術首次用於輝達處理器。目前尚不清楚輝達是否會在其他AI處理器中使用三星的HBM3芯片，或者這些芯片是否必須透過額外的測試才能實作。
機構看好產業鏈
近日，TrendForce集邦咨詢預測，DRAM（動態隨機存取記憶體）均價在2024年將增長53%，到2025年還將增長35%，從而推動DRAM產業2024年、2025年營收分別達到907億美元（同比增75%）和1365億美元（同比增51%）。
TrendForce集邦咨詢表示，4項驅動DRAM營收的因素包括HBM崛起、一般型DRAM產品世代演進、原廠資本支出限縮供給和伺服器需求復蘇。相較一般型DRAM，HBM除拉升位元需求，也拉高產業平均價格。預估2024年HBM將貢獻DRAM位元出貨量5%、營收20%。
此外，DDR5和LPDDR5/5X等高附加價值產品的滲透同樣有助於提高平均價格。TrendForce集邦咨詢估計，DDR5將分別貢獻2024、2025年Server DRAM位元出貨量40%、60%—65%，LPDDR5/5X會貢獻2024、2025年Mobile DRAM（行動式記憶體）位元出貨量50%和60%。
TrendForce集邦咨詢表示，記憶體產業營收創紀錄，原廠將有足夠現金流加速投資。預估2025年DRAM、NAND Flash產業資本支出分別年增25%、10%，且有機會上修。此外，記憶體生產規模提升將帶動對矽晶圓、化學品等上遊原料需求，但相反的，記憶體價格上漲將增加電子產品成本，ODM/OEM（原始設計制造商/原始器材制造商）業者較難完全將成本反映在零售價上，利潤將被壓縮。
開源證券分析師羅通指出，隨著行業周期穩步復蘇，2024年—2025年儲存板塊營收規模逐漸擴大，國記憶體儲芯片/模組/介面芯片等環節公司有望充分受益。
國泰君安分析師舒迪近日表示，國內多家芯片設計公司釋出業績預增公告，業績超預期公司主要為儲存的兆易創新、伺服器的瀾起科技、數碼SoC的晶晨和瑞芯微等。受益於AI和AI端側換機周期驅動，儲存和AI下遊率先復蘇，手機PC、AIoT，通用伺服器的復蘇節奏持續，有望於第三季度持續向上。
另外，芯片廠商SK海力士日前披露的財報顯示，公司2024財年第二季度合並收入為16.42萬億韓元，再創歷史新高，同比增長125%，環比增長32%；營業利潤為5.47萬億韓元，自2018年以來再次回到5萬億韓元水平。國泰君安表示，海力士第二季度收入創新高，營運利潤大幅改善，主要源於儲存漲價和AI需求（HBM、DDR5、企業級SSD等）的拉動。海力士業績創新高強化儲存周期趨勢和HBM的需求趨勢，看好國產AI算力的自主可控、HBM器材公司的產業發展以及利基儲存的持續漲價。
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責編：何予校對：李淩鋒
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