據中國貿易救濟資訊網7月29日訊息，美國英飛淩科技（Infineon Technologies Americas Corp.）、美國英飛淩技術奧地利公司（Infineon Technologies Austria AG）根據【美國1930年關稅法】第337節規定於7月26日向美國際貿易委員會（ITC）提出申請，指控中國氮化鎵（GaN）芯片廠商英諾賽科及其子公司對美出口、在美進口及銷售的特定半導體器件及其下遊產品（Certain Semiconductor Devices and Products Containing the Same）侵犯了其專利，違反了美國337條款。
中國江蘇英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司、中國江蘇英諾賽科（蘇州）半導體有限公司、中國廣東英諾賽科（珠海）科技有限公司、美國Innoscience America, Inc. of Santa Clara, CA為列名被告。
英飛淩科技股份公司在當地時間26日釋出訊息稱，擴大了2024年7月23日在加州北區地方法院審理的訴訟，增加了對珠海英諾賽科科技有限公司、Innoscience America,Inc.及其附屬公司的索賠，指控其侵犯了英飛淩擁有的另外三項涉及氮化鎵技術的專利。此外，英飛淩同時向美國國際貿易委員會（USITC）提起訴訟，其中包含涉及訴訟涉及的相同四項專利的法律索賠。
英飛淩尋求對侵犯其擁有的氮化鎵技術的美國專利的永久禁令。據英飛淩官方訊息稱，該專利權涵蓋了氮化鎵功率半導體的核心方面，這對英飛淩專有的「氮化鎵功率晶體管」（proprietary GaN power transistors）的效能和可靠性的實作至關重要。
2024年3月14日，英飛淩已向美國加州北區地方法院對英諾賽科提起專利侵權訴訟。6月4日，英飛淩又向德國慕尼黑地方法院對英諾賽科及其分銷商提起相應訴訟，並成功申請了慕尼黑地方法院的初步禁令，禁令於今年6月12日釋出。根據該法院命令，英諾賽科不得在紐倫堡的「PCIM Europe2024」展會上展示涉侵權產品。
根據Frost & Sullivan公司的資料，2023年，英諾賽科在全球所有氮化鎵功率半導體公司中排名第一，市場份額達33.7%。然而其招股書顯示，近三年其凈利潤連年虧損。
英諾賽科自2022年開始積極擴充氮化鎵產品的全球銷售網絡，開拓海外市場，計劃在海外設立綜合研發及生產中心，並建立銷售中心。然而這需要大量的技術開發工作，在持續虧損之下，不得不削減了研發費用。而國外競爭對手也頻頻發難。除了英飛淩多地提訴，5月美國氮化鎵公司宜普電源轉換公司（EPC）也稱其四項美國專利遭到英諾賽科侵權。
